西安工业大学2025年01月政府采购意向

采购内容:高精度光学表面改性设备；

主要功能或目标:1、真空反应腔：①真空反应腔配置内衬套、减少反应腔内表面沉积；②内壁加热温度可到100℃或以上；③载物台：直径≥220mm，兼容8英寸及以下的晶圆片和碎片样片；④加热温度可到500℃或以上，配置温度传感器，精度±1℃；⑤反应腔的本底真空≤ 1E-5 mbar；真空漏率≤ 2E-4 mbar•l/s。 2、真空系统：①预真空室配置单独的干泵、真空计,预真空室本底真空≤ 1E-1 mbar；真空漏率≤ 1E-3 mbar•l/s；②真空系统配置工艺用抽速≥ 550 m3/h的防腐蚀设计干泵，配置抽速≥350 l/s的防腐蚀设计涡轮分子泵，本底真空≤ 7.5E-6 Torr； 3、前驱体源系统：①配置至少6路独立的液体/固体前体源管路；每路前驱体源管路配置独立的阀门；6路前驱体源管路种类至少为：2路带管路加热的直抽管路；4路带管路加热、前驱体罐加热（最高可到200℃或以上）、并带有起泡器Bubbler的起泡器管路；②可使用的前驱体源种类至少包括：H2O, TMA, TDMAHf，TEZ以及铟源、镓源、锌源、镍源等；③配置至少2路惰性气体的载气管路，配置至少3路独立的气体源（例如：O2 、NH3、N2）管路，每路气体源管路需配有质量流量计（MFC）、颗粒过滤器和气体截止阀；对有毒/腐蚀气体管路（例如NH3）需配有旁路bypass。 4、前驱体源系统：①配置真远程等离子体方式或电感耦合等离子源；②等离子体源的射频功率≥ 300W，频率13.56 MHz；③配有自动匹配盒，可通过固定匹配模式或自动匹配模式稳定地起辉；④配置计算机控制的等离子体源关闭阀（等离子体快门） 5、原位实时监测系统：①采用激光椭偏仪实时监测薄膜生长过程，可进行膜厚的在线测量，还可实时监测到原子层沉积工艺每一个循环的每一个步骤；②该装置软件与沉积系统操作软件相兼容，可在沉积系统操作软件中直接调用膜厚测量值、实现终点检测；③配置与真空腔相连的特制法兰与光学窗口，配置快门系统、仅在测量时打开、避免该光学窗口被污染；④测量波长632.8nm；最快测量时间≤ 40ms；；

需满足的要求:设备投入运行后，可以满足如下需求： 1、薄膜沉积能力：满足IGZO、IZO、In2O3、InON、NiO等n、p型半导体薄膜的制备，以及HfO2、Al2O3、ZrO2等高k绝缘介质薄膜的制备。除Al2O3外，其它薄膜的薄膜均匀性应满足：①小于1.5%@4inch，②小于2%@8inch；重复性应满足：不同批次的薄膜均匀性偏差小于2%。 2、薄膜性能参数指标：①4英寸硅片上沉积50纳米厚度Al2O3非均匀性小于0.5%，漏电流密度小于等于10 A/cm @ 3M V/cm；②4英寸热氧化硅片上沉积10-30纳米厚度IGZO非均匀性小于1.5%，载流子迁移率达到50 cm2/Vs以上；③4英寸热氧化硅片上沉积10-30纳米厚度InON非均匀性小于1.5%，载流子迁移率达到50 cm2/Vs以上，InON-TFT偏压应力稳定性小于1V@3600s。