为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定，现将本单位2024年11月至2024年12月采购意向公开如下：
| 序号 |
采购项目名称 |
采购需求概况 |
预算金额(万元) |
预计采购时间 |
备注 |
| 1 |
西安工业大学ALD设备 |
采购内容:ALD设备； 主要功能或目标:设备主机规格：用于8英寸及小尺寸样品。 反应腔系统：双腔结构；样品台单独加热；进样方式：样品台电动升降，样品手动转载。 前驱体源输送系统：反应源与金属前驱体源单独进入反应腔体。配备6路前驱体源输送管路；常温源：配备三孔ALD阀门、源手动阀；加热源：配备三孔ALD阀门、源手动阀；载气辅助源：配备三孔ALD阀门、载气脉冲ALD阀门、源手动阀、MFC；载气管路采用N2或者Ar气体，通过质量流量控制器控制；配备惰性气体自清洗系统。 真空系统：采用双级油封式真空泵。 控制系统：PLC+工业触摸屏方式；支持灵活扩展通信方式；可实现配方编辑、保存、读取等功能；所有ALD阀门具备自动排空功能，所有管线具备自动清洗功能；可进行温度PID参数自整定、前驱体标签修改等；可实时显示加热状态、阀门开关状态、压力曲线、等离子体功率曲线、镀膜进度；可实时监测动力气体压力值、加热状态、阀门开关状态等。 等离子体源及控制：远程ICP等离子体系统，等离子体发生腔独立于反应腔室，与反应腔以标准CF100接口连接；独立的等离子体工艺气体系统，等离子体工艺气体2路，每路均包含MFC控制，可选O2、N2、Ar、NH3或H2；采用13.56 MHz射频电源。 需满足的要求:项目建设后，建成并投入使用实验室能够提升学校办学与科研设施设备水平，其中原子层沉积系统（ALD）具备原子级薄膜制备能力，针对多孔、高深宽比的衬底结构可实现表面沉积高均匀性、保型性、低缺陷的Al2O3、TiO2、AlN等高质量薄膜制备。ALD设备符合国家、行业、地方规定的质量和安全标准。1500 |
150.00 |
2024年12月 |
无 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
西安工业大学
2024年11月21日
